Il y a deux types de transistors bipolaires standards, à savoir Transistors PNP et NPN. Dans cet article, l'un d'entre eux, à savoir PNP, sera discuté en détail.
- Définition du transistor PNP
- Symbole du transistor PNP
- Diagramme
- configuration
- Principe de fonctionnement
- Applications
- Avantages désavantages
- Transistor PNP comme interrupteur
- Transistor PNP vs NPN
Définition du transistor PNP
« Un PPN Le transistor est de type BJT construit en fusionnant un semi-conducteur de type N entre deux semi-conducteurs de type P.
Diagramme de transistor PNP :
Le transistor se compose de trois sections-
- Émetteur électronique
- Base B
- Collecteur C
Au sujet du fonctionnement de trois bornes du transistor PNP,
- L'émetteur est utilisé pour fournir des porteurs de charge dans le collecteur à travers la zone de base.
- La région Collector regroupe la plupart des porteurs de charge émis dans l'émetteur.
- La base utilisée pour contrôler la quantité de courant passant à travers l'émetteur vers le collecteur.
Symbole du transistor PNP
La couche intermédiaire (type N) est appelée borne B-Base. La couche de type P du côté gauche fonctionne comme un terminal E-Emitter et la couche de type P du côté droit connue sous le nom de terminal C-Collector.
Dans une formation de transistor NPN, un matériau semi-conducteur de type P est inséré entre deux semi-conducteurs de type N, comme expliqué dans l'article (Link NPN transistor). Alors que dans un transistor PNP, un semi-conducteur de type N est inséré entre deux matériaux semi-conducteurs de type P.
Dans un transistor PNP, deux types de diodes sont utilisés. Ils sont respectivement PN et NP diode. Ces diodes à jonction PN sont appelées jonction collecteur-base ou CB et jonction base-émetteur ou BE.
Dans le matériau semi-conducteur de type P, les porteurs de charge sont principalement des trous. Ainsi, dans ce transistor, la formation de courant est due uniquement au mouvement des trous.
Les régions émettrices et collectrices (de type P) sont comparativement plus dopées que la base de type N. Les régions des régions émettrice et collectrice sont plus larges par rapport à la base.
Un nombre adéquat d'électrons libres est généralement disponible dans un semi-conducteur de type N. Mais, la largeur de la couche intermédiaire est plus étroite et légèrement dopée dans ce cas.
Principe de fonctionnement du transistor PNP
L'intersection émetteur-base est liée au biais de transmission. En plus de la borne + ve d'une alimentation en tension (VCB) est connecté à tous les terminaux de base (type N), et le terminal -ve est connecté à tous les terminaux collecteurs (type P). Par conséquent, l'intersection collecteur-base est associée à la polarisation inverse.
En raison de cette polarisation, la zone de déplétion à la jonction EB est moindre car elle est liée au biais de transmission. Même si la jonction CB est en polarisation inverse, la zone de déplétion à la jonction Collecteur-Base est suffisamment large. La jonction EB est polarisée en direct. Par conséquent, plus de trous se déplacent des émetteurs à travers la zone d'épuisement et agissent comme une entrée vers la base. Simultanément, peu d'électrons transportés dans un émetteur dans la base et recombinés avec les trous.
Mais la quantité d'électrons à la base est minime car c'est une zone raisonnablement moins dopée et étroite. Par conséquent, presque tous les trous des régions émettrices passeront la région d'épuisement et seront transportés dans les régions de base.
Le courant passera par la jonction EB. C'est le courant de l'émetteur (jeE). Donc jeC, le courant du collecteur passera à travers les couches Collector-Base à cause des trous.
Circuit de transistor PNP
Quand un Transistor PNP est relié à des ressources de tension, le courant de base sera véhiculé dans le transistor. Même la petite quantité de base présente contrôle la circulation d'un grand nombre de courant à travers l'émetteur vers le collecteur fourni à la base la tension est plus -ve par rapport à la tension de l'émetteur.
Lorsque VB la tension de base n'est pas -ve par rapport au VE la tension de l'émetteur, le courant ne peut pas passer dans le circuit. Il est donc nécessaire de prévoir une alimentation en tension en polarisation inverse> 0.72 Volt.
Les résistances RL Et RB sont connectés dans le circuit. Cela restreint le courant à traverser la hauteur maximale possible du transistor.
La tension de l'émetteur est VEB comme côté d'entrée. Ici, le courant de l'émetteur (IE) s'écoule du côté entrée et s'écoule dans deux directions; l'un est moiB et l'autre est moiC.
IE= IB+ IC
Mais seulement 2 à 5% du courant total circule dans le IB, donc jeB est négligeable.
Avantages du transistor PNP
- De petite taille et peut être utilisé dans le cadre de la conception de circuits intégrés.
- Circuit comparativement bon marché, durable et plus simple.
- Actions spontanées disponibles
- Faible exigence de tension d'alimentation et moins de sortie impédance.
- Produisent moins de bruit que les transistors NPN.
Inconvénients du transistor PNP
- Ne convient pas pour fonctionner sur une application haute fréquence.
- Exécutez lentement par rapport au NPN.
- Sensibilité à la température et peut être endommagé lors d'un emballement thermique.
Transistors PNP Applications :
- Les transistors PNP sont appliqués en tant que commutateurs, c'est-à-dire commutateurs analogiques, bouton-poussoir d'urgence, etc. Ils ont des applications lorsqu'un arrêt d'urgence est requis.
- Ces types de transistors sont utilisés dans les circuits de sources de courant, c'est-à-dire en exploitant les caractéristiques des flux de courant hors du collecteur.
- Il est appliqué dans le circuits.
- Ils sont utilisés dans les circuits à paires Darlington.
- Les transistors de type PNP sont utilisés dans les moteurs lourds pour contrôler le flux de courant et diverses applications de conception robotique et de microcontrôleur.
Transistor PNP comme interrupteur
Une fois que l'interrupteur est sur ON, le courant passera à travers le circuit et se comportera également comme un circuit fermé. Le transistor est un circuit basé sur l'électronique de puissance analogique avec des caractéristiques de commutation qui peuvent fonctionner comme des commutateurs ordinaires.
Comme nous l'avons observé dans le fonctionnement du transistor PNP, lorsque la tension de base n'est pas supérieure à -ve que le VE, le courant ne pourra pas traverser le circuit. Ainsi, VB est d'au moins 0.72 Volt en connexion de polarisation inverse pour faire fonctionner le transistor.
Donc, si le VB est 0 ou> 0.72Volt, le courant ne passera pas et fonctionnera comme un interrupteur ouvert.
Transistor PNP vs NPN
| Transistor PNP | Transistor NPN |
| PNP signifie transistors positifs-négatifs-positifs | Un transistor NPN signifie transistor négatif-positif-négatif. |
| Un transistor PNP a besoin d'un flux de courant négatif de la base à l'émetteur. | Un transistor NPN a besoin d'un flux de courant positif de la base à l'émetteur. |
| Un transistor PNP obtient une tension positive à la borne de l'émetteur. Cette tension + ve permet à l'émetteur de courant de se rendre au collecteur. | Un transistor NPN reçoit une tension + ve dans la borne du collecteur. Ce + ve permet au courant de circuler du collecteur à l'émetteur. |
Dans le cas du transistor PNP, le courant est dirigé de l'émetteur vers la base. Une fois le transistor activé, le courant passe à travers l'émetteur vers le collecteur. Lorsque le courant est fourni de la base du transistor à l'émetteur dans un transistor NPN, la base du transistor reçoit une tension positive et l'émetteur reçoit une tension négative. Ainsi, le courant circule dans la base. Lorsqu'il y a suffisamment de courant circulant de la base vers l'émetteur, le transistor est activé et il dirige le flux de courant du collecteur vers l'émetteur au lieu de la base vers l'émetteur.
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Bonjour, je m'appelle Soumali Bhattacharya. J'ai fait un Master en Electronique.
Je suis actuellement investi dans le domaine de l'électronique et de la communication.
Mes articles se concentrent sur les principaux domaines de l'électronique de base dans une approche très simple mais informative.
Je suis un apprenant vif et j'essaie de me tenir au courant de toutes les dernières technologies dans le domaine de l'électronique.
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